MR256D08B
FEATURES
?  +3.3 Volt power supply 
?  I/O Voltage range supports wide +1.65 to +3.6 Volt interfaces
?  Fast 45 ns read/write cycle
?  SRAM compatible timing
?  Unlimited read & write endurance
?  Data always non-volatile for >20-years at temperature
?  RoHS-compliant small footprint BGA package 
BENEFITS
?  One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in systems 
for simpler, more efficient designs
?  Improves reliability by replacing battery-backed SRAM
Dual Supply 32K x 8 MRAM
RoHS
INTRODUCTION
The  MR256D08B  is a 262,144-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 
32,768 words of 8 bits.   It supports I/O voltages from +1.65 to +3.6 volts.  The MR256D08B offers SRAM 
compatible 45ns read/write timing with unlimited endurance.  Data is always non-volatile for greater than 
20-years. Data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes 
with voltage out of specification.  The MR256D08B is the ideal memory solution for applications that must 
permanently store and retrieve critical data and programs quickly.
The  MR256D08B  is available in small footprint 8 mm x 8 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package with 
0.75 mm ball centers. 
The  MR256D08B  provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures. The product is 
offered with commercial temperature (0 to +70 °C).
CONTENTS
1. DEVICE PIN ASSIGNMENT......................................................................... 2
2. ELECTRICAL SPECIFICATIONS................................................................. 4
3. TIMING SPECIFICATIONS..........................................................................  8
4. ORDERING INFORMATION....................................................................... 13
5. MECHANICAL DRAWING.......................................................................... 14
6. REVISION HISTORY...................................................................................... 15
    How to Reach Us.......................................................................................... 15
Everspin Technologies       ? 2011
1
MR256D08B Rev. 3, 12/2011
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相关代理商/技术参数
MR256DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 256KBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM(磁阻 RAM) 存储容量:256K(32K x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8x8) 标准包装:348
MR256DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 256KBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:MRAM(磁阻 RAM) 存储容量:256K(32K x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8x8) 标准包装:1
MR25B-100R-F 制造商:RF 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK 制造商:RF Electronics Inc. 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 100 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
MR25B-10K0-F 制造商:RFE INTERNATIONAL INC 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 10K OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
MR25B-10K2-F 制造商:RFE International Inc 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 10200 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
MR25B-1132F 制造商:Topohm 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 11300 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
MR25B-11K0-F 制造商:RFE International Inc 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 11000 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK
MR25B-13K3-F 制造商:RFE International Inc 功能描述:RESISTOR, METAL FILM, 0.25 W, 1 %, 100 PPM, 13300 OHM, THROUGH HOLE MOUNT, BULK